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4N47/48/49 光敏晶体管密封式光耦合器


Image:4N47-pic001.jpg

电原理图

Image:4N47-pic003.jpg

封装外形图


特性


  • 电流转换比可在-55℃~+125℃环境温度范围内得到保证
  • 1000V的电隔离
  • 标准的TO-5气密封装
  • 在低输入电流下有高的电流转换比
  • 基极引线可供晶体管偏置
  • 提供100%高可靠筛选



概述


4N47/48/49是专为需要以大的电流转换比和低的饱和VCE,实现光隔离的高可靠应用而特别设计的。每个光耦合器都是由一个发光二极管和一个NPN硅光敏晶体管在一个气密性TO-5封装内部,在订制的微型陶瓷基片上装配并耦合而组成的。低的输入电流使得4N4X特别适宜CMOS直接与LSTTL/TTL接口。所有电参数都与JEDEC注册的4N47、4N48、4N49是一样的。


可100%高可靠筛选


注:


1. 测量时引脚1、2、3和4之间短接在一起,而引脚5、6、7和8之间短接在一起。TA= 25℃,持续时间=1秒。

2. 在25℃以上,以3.0mW/℃线性地下降。

3. 数值适用于PW≤1μs,PRR≤300pps。



绝对最大额定值


耦合


输入到输出的隔离电压1


储存温度范围


距管壳1.6mm的引线温度(10秒)

±1000Vdc


-55℃~+125℃


240℃


输入二极管


平均输入电流


峰值正向电流(持续时间≤1ms)


反向电压

40mA


1.0A


2.0V


输出检测器


集-射电压


射-基电压


集-基电压


连续的集电极电流


功耗

35V


4V


35V


50mA


300mW



电特性(若不另作说明,则TA=25℃)


 

符号

4N47

4N48

4N49

单位

测 试 条 件

Min

Typ

Max

Min

Typ

Max

Min

Typ

Max

通态集电极电流

ICON

0.5

 

 

1.0

 

5.0

2.0

 

10

mA

IF=1mA,VCE=5.0V

2,3

 

0.7

 

 

1.4

 

 

2.8

 

 

mA

IF=2mA, VCE=5.0V, TA=-55

 

 

0.5

 

 

1.0

 

 

2.0

 

 

mA

IF=2mA,VCE=5.0V,TA=100

 

 

通态集-基电流

ICB(ON)

30

 

 

30

 

 

30

 

 

μA

IF=10mA,VCB=5.0V

 

 

饱和电压

VCE(SAT)

 

 

0.3

 

 

 

 

 

 

V

IF=2mA,IC=0.5mA

 

 

 

 

 

 

 

0.3

 

 

 

V

IF=2mA, IC=1.0mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.3

V

IF=2mA, IC=2.0mA

 

 

击穿电压

-

BVCEO

40

 

 

40

 

 

40

 

 

V

ICE=1mA

 

 

-

BVCBO

45

 

 

45

 

 

45

 

 

V

ICB=100μA

 

 

-

BVEBO

7

 

 

7

 

 

7

 

 

V

IEB=100μA

 

 

关态电流

-

ICE(OFF)

 

 

10000

 

 

100

 

 

100

nA

VCE=20V

 

 

 

 

100

 

 

100

 

 

100

μA

VCE=20V, TA=100

 

 

-

-

 

ICB(OFF)

 

 

10

 

 

10

 

 

10

nA

VCB=20V

 

 

输入正向电压

VF

1.0

 

1.7

1.0

 

1.7

1.0

 

1.7

V

IF=10mA, TA=-55

1

 

0.8

 

1.5

0.8

 

1.5

0.8

 

1.5

V

IF=10mA

1

 

0.7

 

1.3

0.7

 

1.3

0.7

 

1.3

V

IF=10mA, TA=100

1

 

输入反向电流

IR

 

 

100

 

 

100

 

 

100

μA

VR=2.0V

 

 

输入-输出(电阻)

RI-O

1011

 

 

1011

 

 

1011

 

 

Ω

VI-O=±1000Vdc

 

1

输入-输出(电容)

CI-O

 

 

5

 

 

5

 

 

5

pF

VI-O=0V, f=1MHz

 

1

上升时间

tr

 

10

20

 

10

20

 

15

25

μs

VCC=10V,RL=100Ω

4

 

下降时间

tf

 

10

20

 

10

20

 

15

25

μs

IF=5mA

 


所有典型值都是在TA=25℃的条件下



典型特性曲线


Image:4N47-pic005.jpg

图1.二极管的正向特性

Image:4N47-pic007.jpg

图2.归一化IC与IF的关系

Image:4N47-pic009.jpg

图3.归一化CTR与温度的关系

Image:4N47-pic011.jpg

图4.开关测试电路




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