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CREE Z-FET 碳化硅(SiC) MOSFET 裸芯片
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CREE Z-FET 碳化硅(SiC) MOSFET 裸芯片

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商品描述
CREE Z-FET 碳化硅(SiC) MOSFET 裸芯片

CREE Z-FET 碳化硅(SiC) MOSFET 裸芯片 (用于功率控制与管理的碳化硅二极管SiC芯片)


主要特性:

  • 高速开关

  • 低效能

  • 轻松实现并联操作

  • 同级别中的最低开关损耗

  • 拥有世界级的效率,显著提高开关频率

  • 显著降低冷却要求,从而减小电磁和过滤设备的体积

  • 兼容 RoHS、REACH 和无卤素技术



CREE Z-FET 碳化硅(SiC) MOSFET 裸芯片型号:


Image:CPMF-1200-S080-B.jpg


产品编号 封装 VDSS (V) RDS ID (A) ID (A)
  TC = 25 TC = 100
CPMF-1200-S160B 裸芯片 1200 160 24 12
CPMF-1200-S080B 裸芯片 1200 80 33 17



科锐,碳化硅专业品牌,引领功率半导体革命


科锐,作为功率半导体及无线照明用LED及LED照明配件的革新者,正凭借其具有划时代意义的碳化硅材料为不同领域的工业带来一场革命,碳化硅材料为众多半导体应用提供高效性及可靠性。


碳化硅将作为基础材料用来研发新能源电子设备,必将超越原来的状态。科锐正为全行业带来一场革命。科锐的系列产品涵盖蓝绿LED芯片、高亮LED、照明用LED、LED配件及灯具,电源调控设备、电频/无线设备。


有着约25年的SiC和GaN宽能阶材料增长及晶片加工和设计经验,科锐是世界领先的SiC功率电子制造商,也是世界上最大的纯显示宽能阶器件制造商。通过调节其材料技术的能效,使得科锐功率电子装置具有更小规格、更高频率、高效而适用于不同应用,包括电源供给,太阳能变流器及工业用电机驱动。


自2002年全球推广使用以来,事实证明科锐的SiC功率装置的高效性与可靠性。科锐领先的功率电子科技,可满足更多对于高效、高可靠性及省电性能的要求。


对于SiC生产的持续改进及成本控制,科锐已经制定了一份科技蓝图,这还包括运用全球先进的产品组合来巩固自身科技的霸主地位。SiC科技的时代已经到来。不要落后了!





更多产品信息请访问 CREE 网站:http://www.cree.com


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