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CREE 基于单片微波集成电路(MMIC)的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)
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CREE 基于单片微波集成电路(MMIC)的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)

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商品描述
CREE 基于单片微波集成电路(MMIC)的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)


CREE 基于单片微波集成电路(MMIC)的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)

适用于高功率通信以及特种市场中放大器应用的RF晶体管器件


主要特性:


  •             高导热性

  •             高击穿电场

  •             高饱和电子漂移速度

  •             高功率密度(每单位栅范围功率)


主要应用:


  •             双通道私人电台

  •             宽带放大器

  •             蜂窝基础设施

  •             测试仪器

  •             适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器




Image:CREE-GaN-PN-CMPA0060002D.jpg


产品编号:


产品编号封装频率输出功率增益工作电压
(GHz)(瓦)(分贝)(V)
                CMPA0060002D                裸芯片                20 MHz – 6.0 GHz                2                15                28
                CMPA0060025D                裸芯片                20 MHz – 6.0 GHz                25                18                50
                CMPA2060025D                裸芯片                2.0 – 6.0 GHz                25                21                28
                CMPA2560025D                裸芯片                2.5 – 6.0 GHz                25                25                26
                CMPA2735075D                裸芯片                2.7 – 3.5 GHz                75                28                28
                CMPA5585025D                裸芯片                5.5 – 8.5 GHz                25                30                28
                CMPA801B025D                裸芯片                8.0 – 11.0 GHz                25                28                28



科锐,碳化硅专业品牌,引领功率半导体革命


科锐,作为功率半导体及无线照明用LED及LED照明配件的革新者,正凭借其具有划时代意义的碳化硅材料为不同领域的工业带来一场革命,碳化硅材料为众多半导体应用提供高效性及可靠性。


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