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光刻胶
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光刻胶

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商品描述
光刻胶

光刻胶 – 半导体生产用光刻胶


(日本东京应化工业株式会社)


IC、LSI和VLSI的生产模型已经有大胆的改善,要求使用稳定分辨率、高强度、无杂质材料或高质量的光刻胶。


A.OFPR-800正性光刻胶


正性光刻胶是目前半导体工业最常用的正性光刻胶,性能稳定,有严格的质量控制。


主要特点:显影过程中嚗光后无表面暴露、无条纹、分辨率高,对显影液的温度依赖小,易控制、高熔点,温度影响小、粘性大、杂质(如Na,Fe等)少、干刻蚀力强、易剥落。


B.TSMR-8900高分辨率、高耐热G线正性光刻胶


适用于生产1M DRAM和4M DRAM


主要特点:分辨率由优于OFPR-800,在NA0.35的步进器上的可靠性尺寸达0.7uM,随着嚗光时间的变化,尺寸变化较小、随着显影时间的变化,尺寸变化率小,残膜收取率高、随着预陪时间的变化尺寸变化率小、DOF特性佳


C.NMD-W高性能有机碱显影液


在现代化半导体工业中,已经采用了在线自动显影工具,显影力往往取决于流率、噴嘴的形状及其他。


主要特点:濡湿性好(表面张力小)、大圆片内尺寸不协调因素少、除泡性能良好。


D.STRIPPER-104配合正性光刻胶使用的剥离掖


采用卤素溶液对环境和健康是有害的,目前世界上都要求采用更安全的物质,玻璃液-104不含卤素、酚、酸等基础物质,符合环境要求,对铝层无腐蚀。


主要特点:


溶于水,剥离板可以用水清洗、不含酸性物质、在室温下可以帮助分解光刻胶、加热时挥发极小


E.OMR-85负性光刻胶


OMR-85是光刻胶的一种,采用合成橡胶制成。


主要特点:纯度高,适用于离子发射机、分辨率高,与模具体尺寸非常相配、粘度好、不易粘在光刻机上、响影后膜厚度再造性稳定、由于采用精细的橡胶原料,因此它的稳定性好。