圆片减薄 - 与 Micross 合作的裸芯片产品与服务

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概念

背面研磨即半导体圆片减薄.通过把多余材料从没有磨光或者没有处理过的表面除掉而完成的.在生产时,圆片通常要制造的比所需厚度大一些,以便让使用者可以根据自己需要进行处理;也可以让厂家更容易掌握公差.通过圆片减薄,使用者可以考虑改变其电,光或者是机械性能来满足最终应用.通常情况下,所有的圆片应该同时抛光,但是这种方法只对个别芯片或者一个圆片上的个别部分通用.例如,用于光纤装置上的预先切割的芯片要进行额外的减薄和磨光处理才能使其附着在光纤上. 　

硅是用于圆片减薄的最常用的半导体材料,除此之外,也可以用砷化镓和磷化铟等复合半导体材料.需要背面减薄的通常是一些与倒装片相关的和用于卡系统,手机和RF装置上的芯片.通过除去切割晶体时产生的铁屑和生成化合物时必然出现的缺损,抛光处理可以保证圆片背面均匀.

由于圆片易碎,所以圆片减薄是非常细致的工作.没有专业的技术和经验,有可能使圆片承受过大的压力而导致圆片破裂;或者由于背面厚度不均而导致大范围的分裂.为了保证整体质量以及在切割时的高产量,大圆片必须要经过二次磨光处理.此过程可以消除给芯片带来不稳定性的变形,具备专业知识和经验对了解诸如圆片尺寸,圆片的材料,钝化,厚度要求,减速比等参数是非常重要的.最终的厚度可以达到0.050—0.200mm不等,经过某些特定的处理也能达到0.010mm.另外很重要的一点就是要确保在减薄过程中对活性面的保护.

圆片减薄—过程

把活性面放置在一个专门的超净胶带上可以起到保护作用.通过一台高精度抛光机器,圆片被安放在一个涡卷式铸铁金属板上,背面被带动与磨粉浆接触,从而除去表面上多余的材料.磨粉浆是研磨油和金刚砂或氧化铝的混合物.为了达到好的效果,在抛光和缓解圆片压力时我们推荐氧化铝作为研磨材料.在抛光处理即将结束时,对圆片装载的仔细控制可以确保高质量的磨光.然后,圆片在特定的溶液中清洗并从圆片前面去掉保护胶带.

芯片减薄—能力