划片 - 与 Micross 合作的裸芯片产品与服务

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CREE半导体碳化硅和氮化镓裸芯片

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CREE Z-FET 碳化硅（SiC） MOSFET 裸芯片	CREE半导体碳化硅和氮化镓裸芯片	￥0.00	￥0.00
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CREE 氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）裸芯片	CREE半导体碳化硅和氮化镓裸芯片	￥0.00	￥0.00
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NTK 半导体陶瓷封装管壳	推荐半导体封装材料封装管壳	￥0.00	￥0.00
Williams 半导体金属封装管壳封装盖板	推荐半导体封装材料封装管壳	￥0.00	￥0.00
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TO 半导体金属封装管壳	半导体金属封装材料封装管壳	￥0.00	￥0.00
陶瓷针栅阵列矩阵(PGA)半导体封装管壳	半导体陶瓷封装材料封装管壳	￥0.00	￥0.00
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划片 - 与 Micross 合作的裸芯片产品与服务

圆片的切割(划片) - 与 Micross 合作的裸芯片产品与服务

基本概念

最终产品的接收存在着几种方式可供用户选择,例如格栅结构的包装,凝胶体包装,放在环形框架上的圆片等等.对于每种情形,为了把圆片转换成可用的形式,必将其分割.由于原料本身很脆弱,我们必须考虑影响总成品率和单个管心质量的几个因素,例如刀片的速度,切割模式,乃至于所用过滤水中携带的电荷等因素都会对切割后的管芯产量有重要的影响.由于产品的尺寸和组成材料有显著不同,所以也存在着大量的有关圆片切割的技巧和经验.例如:硅的切割工艺与砷化镓的就完全不同.

圆片的切割---工艺过程

在切割之前,要把圆片安放在环形框架上,这是利用一个安装卡盘完成的,它可以使专用的金属薄片在圆片背面延伸.金属薄片是碾压成的以保证圆片背面备均匀覆盖,然后将多余的薄膜去掉.此阶段要考虑的重要因素是芯片尺寸与金属薄片的电阻系数比.一旦圆片适宜的放在环形框架上,就准备切割.

其次,把圆片紧固在可移动的切割卡盘上,依靠刀具的内部计算程序对圆片位置进行检测并加以校准.计算程序可以自动事先调整刀具的X和Y坐标来跟踪圆片的划片线(每个管芯之间的空闲迹线).对圆片的这种自动操作提高了精确性,并减少了人为失误的可能性.在校准圆片的位置后,通过移动卡盘与安转在圆片上方砖轴,快速旋转的钻石螺旋刀片接触,进行实际的切割.刀具按照程序移动并且使卡盘旋转,知道所有的切割线都被切割为止.然后取下金属薄片上的圆片,在一种特殊的溶剂中清洗,并经红外线干燥,以便去除切割过程中产生的原料粉末的残余.

薄膜和胶带

大多数在胶带上发运的管芯,在胶带变质之前,仅有很短的存储寿命(平均三周).胶带是去黏着力,在运输过程中或取放操作的情况下,会是管芯散落.此外,如果寿命较长,胶带上的黏着力增加,使管芯分离困难,并会造成背面报废.我们使用的胶带,只要在室温下正确存储,在十年内,会以大小如一的力是管芯分离.这就保证了长期存储,消除移动过程中的损坏,并提高取放的速度.

圆片切割—设备/能力

可切割8英寸/200mm圆片